1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗??; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
江蘇省省長許昆林蒞臨宏微科技調研… 11月2日下午,江蘇省省委副書記、省長許昆林蒞臨江蘇宏微科技股份… 2022-11-07 了解更多
“宏微科技”首次向公司員工授予限… 宏微科技于 2022 年 8 月 26 日召開第四屆董事會第十三次會議、第… 2022-09-03 了解更多
常州市委書記陳金虎一行走訪慰問宏… 2022年1月26日上午,常州市委書記陳金虎蒞臨江蘇宏微科技股份有限… 2022-01-26 了解更多